VCBO：基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高反向耐压（单位V或kV），为雪崩击穿
电压（∝ = ∞）。
VCEO：发射极接地，基极对地开路，集电极和发射极之间在指定条件下的最高反向耐压（单位V或kV），为雪崩击穿
电压（ β = ∞）。
IC：在集电极允许耗散功率的范围内，能连续通过集电结的直流电流的最大值或交流电流的最大平均
值（单位A或mA）。
Ptot :在规定的环境条件下（环境温度Ta=25°C）,不施加散热片时，晶体管集电极能连续耗散的最大允许功率（单位mW或W）。 Ptot与Ic、Vceo的关系是：Ptot =Ic*Vceo （ Ic和Vceo 不是指的极限值，而是指的电路中的实际值）。中国和日本均规定： Pc>1w的为大功率晶体管。
Pc* 在管壳温度 Tc=25°C 条件下，集电极耗散功率的最大值，即把附加无限大散热板作为前提时的最大
值（单位 W或mW）。
VCEX：发射极接地，基极与发射极之间施加规定的反向偏压时，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压。
VCES：发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压。
VCER：发射极接地，基极与发射极之间跨接电阻R，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压。
Tjm： 最大允许结温度。
Tstg：非工作状态下的贮藏温度的最大范围。通常，此温度范围是 -55~+125°C（或 +155°C）。
Ta： 器件工作的环境温度。极限参数的条件之一。
Tc： 器件管壳温度。极限参数的条件之一。
电气特性参数
反向饱和漏电流ICBO
--基极接地，发射极对地开路，在规定的VCBO反向电压条件下，集电极与基极之间的反向饱和漏电流，被简称为反向饱和电流，也被称为反向饱和截止电流。对于小信号锗管而言，其值为数 µA；对于锗功放管而言，其值为数mA；小信号硅管，其值为数nA；功率放大用硅管，其值为数µA。
hFE-- 共发射极直流电流放大系数。在共发射极电路中，静态（无交直流信号输入）时，当VCE和 Ic规定值时，集电极电流Ic和基极电流IB的比值。对于大功率晶体管，也有用脉冲输入测定的情况。对于同一只晶体管，hFE 通常比共发射极交流电流放大系数β（俗称交流β）略小，但是，对于性能好的晶体管而言，hFE接近于β 。因为hFE 的测量和计算简单，而且，hFE接近于β，因此，对于低频小功率，常用测量的hFE来代替β。大功率晶体管通常均在大信号条件下工作，hFE相对于β而言，能更准确地表达其放大能力。
饱和电压（或饱和压降）
-- 晶体管有三种工作状态：截止状态、放大状态和饱和导通状态。当发射结与集电结都处于反向偏置时，晶体管处于截止状态；当发射结处于正向偏置而集电结处于反向偏置时，晶体管处于放大状态；当发射结和集电结均处于正向偏置时，集电极与发射极之间的电阻及压降都很小，晶体管处于饱和导通状态。晶体管在饱和导通状态时，各电极（端子）之间的电压降被称为饱和电压。其值越小电压利用率越高，功率损耗越小。
VCE(sat)：-- 在共发射极电路中，晶体管在饱和导通状态下（发射结和集电结均为正向偏置）的集电极和发射极之间的电压降。
VBE(sat)：--在共发射极电路中，晶体管在饱和导通状态下（发射结和集电结均为正向偏置）的基极和发射极之间的电压降。
截止频率-- 晶体管的电流放大系数随着工作频率的升高而下降，简单地表示晶体管高频特性的参数是截止频率，
有ƒα和ƒβ两个参数。
ƒα: 在共基极电路中，在小信号的条件下，放大系数α 值（集电极直流电流增量和发射极直流电流增量的
比值∆Ic/∆IE）随着工作频率的升高而下降，当下降到低频的70.7%时的频率值。称其为共基极截止频率 ƒα。
ƒβ:在共发射极电路中，在小信号的条件下，放大系数β值（集电极电流 Ic的增量与基极电流IB增量的比值）随着频率的升高而下降，在下降3dB时的频率值，被称为共发射极截止频率 ƒβ。
ƒT--特征频率，它是共发射极电流放大系数β 的绝对值随频率的升高而下降到1时的值。大约为ƒα最
小值的两倍。
开关时间特性参数
tr -- 上升时间。输出脉冲自最大值的10%增加到90%时所需的时间。
tf-- 下降时间。输出脉冲自最大值的90%下降到10%所需要的时间。
td-- 延迟时间。自输入脉冲上升边变化到最大值10%的点，到输出脉冲变化到最大值10%的点所需要的时间。
tstg--存贮时间。自输入脉冲下降边变化到最大振幅（最大值）10%的点，到输出脉冲最大值10%的点所需要的时间。
ton--开启时间。延迟时间td和上升时间tr之和，即ton=td+tr。
toff --关断时间。存贮时间tstg与下降时间tf之和，即toff=tstg+tr。
晶体管的电容参数
慨念：在晶体管中，存在着构造上的结电容和寄生电容，它限制着高频特性。这些电容值越小，高中频特性就越好，但是，在实际上，是利用这些电容值与基极扩展电阻rbb等的乘积来决定晶体管高频特性的。
Cob-- 共基极电路的集电极输出电容（规定VCB 、ƒ和 IE的条件下测定的）。
Coe-- 共发射极电路的集电极输出电容（规定VCE 、ƒ 和 Ic或IE的条件下测定的）。
Cib-- 共基极电路的输入电容（规定VEB和ƒ以及输出端开路时测定的）。
Cie-- 共发射极电路的输入电容（规定VCE 、Ic和IE、ƒ时，输出端交流短路状态下测定的）。
Crb--共基极电路中的反馈电容。
Cre--共发射极电路中的反馈电容（规定ƒ和IE以及发射极、屏蔽极、测量仪器接地极三者连接在一起的条件下
测定的）。
噪声系数
NF-- 噪声系数。当信号通过晶体管电路时，信噪比（S/N）劣化的程度。
定义：噪声系数NF=（输入端信号功率/输入端噪声功率）/ （输出端信号功率/输出端噪声功率）
因晶体管的噪声系数具有频率特性，因此，在测定条件中常给出了频率条件。噪声系数用dB作单位。
NV-- 输出噪声电压。
Po-- 输出功率。
R1/R2 -- 内含电阻的晶体管的电阻值。
Gp(或PG -- 功率增益。
CG-- 转换增益。
RON--导通电阻值。
Cc·rbb-- 集电极 - 基极时间常数（即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积）。
晶体管在电路时的参数
hie--共发射极电路中，交流输出短路时，小信号输入时的交流输入阻抗（即交流输入电压对交流输入电流的比值）。
hoe-- 输出导纳。共发射极电路中，交流输入开路（即交流输入电流在零状态时）条件下、交流输出电流的有效值对交流输出电压有效值的比值。
Yre-- 发射极接地，小信号输入短路时的逆传输导纳（在规定的VCE、Ic和IE 及ƒ的条件下测定的）。
Yfe-- 发射极接地，小信号输出短路时的顺传输导纳（在规定的VCE、Ic和IE及ƒ的条件下测定的）。
Szl-- 散射系数。
gie-- 发射极接地，输入电导。
goe--发射极接地，输出电导。
bie--发射极接地，输入电纳。
boe--发射极接地，输出电纳。
bfe--发射极接地，顺传输电纳。
晶体管的用途和单位略语
晶体管根据用途被分为工业用型和家电用型；根据结构又分为
一般类型和特殊类型。
以A，R，S，U，V，I开头的略语为工业用型，其略语含义如下：
第一字母中： 第二字母中：
A=音频 H=用于大电流 E=用于超高电压
R=HFL=用于弱电流 第三字母中： G=普通应用
S=SHFM=用于中等电流 A=放大器 H=用于高压
U=UHF=超特高频具 B=双向的 N=低噪声
V=VHF=甚高频 C=斩波器 P=功率放大器
I=敏感元件具 D=达林顿管 S=开关管
以F或T开头的为家电用型，其略语含义如下：
FRH=调频/调幅用，普通应用，高增益 TLE=电视机，行频末级，很高电压用
FRM=调频/调幅用，普通应用，中增益 TUG=电视机，UHF用，放大量可调
FVG=调频用，VHF用，普通应用 TUM=电视机，UHF用，混频用
TIA=电视机中频放大器用 TUO=电视机，UHF用，振荡器用
TIG=电视机中频放大器用， G=放大量可调 TVE=电视机，视频末级，很高电压用
TLH=电视机，行频末级，高压用 TVH=电视机，视频末级，高电压用
TLM=电视机，行频末级，中压用 TVM=电视机，视频末级，中压用
特种类型的略语含义如下：
MPP=对称（配对）对管 PCT=点接触晶体管 TRI=3晶体管结构 DUA=微分（差分）对管 QUA=多重管 HEX=6晶体管结构
中国半导体分立器件型号的组成符号及其意义
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
用数字表示器件的有效电极数目 用汉语拼音字母表 示器件的材料和极性 用汉语拼音字母表示器件的类型 用数字 表示器 件的序号 用汉语拼音字母表示规格的 区别代号
符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义
2 二 极 管 A N型，锗材料 P 普通管 D 低频大功率管
C N型，硅材料 V 微波管
W 稳压管 A 高频大功率管
B P型，锗材料
C 参量管
D P型，硅材料 Z 整流管 T 半导体闸流管
L 整流堆
3 三 极 管 A B C D E PNP型，锗材料 NPN型，锗材料 PNP型，硅材料 NPN型，硅材料 化合物材料 S 隧道管 Y 体效应器件
N 阻尼管 B 雪崩管
U 光电器件 J 阶跃恢复管
K 开关管 CS 场效应管
X 低频小功率管 BT 半导体特殊器件
FH 复合管
G 高频小功率管 PIN PIN型管
JG 激光器件
日本半导体分立器件型号组成部分的符号及意义
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
用数字表示类 型或有效电极数 S表示日本电子工业协 会（EIAJ）注册产品 用字母表示器 件的极性及类型 用数字表示在日本电子 工业协会登记的顺序号 用字母表示对原 来型号的改进产品
符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义
0 光电(即光敏)二 极管、晶体管 及其组合管 S 表示已在 日本电子 工业协会 （EIAJ） 注册登记 的半导体 分立器件 A B C D F G H J K M PNP型高频管 PNP型低频管 NPN型高频管 NPN型低频管 P控制极可控硅 N控制极可控硅 N基极单结晶体管 P沟道场效应管 N沟道场效应管 双向可控硅 两 位 以 上 的 整 数 从“11”开始表示 在日本电子工业协 会注岫登记的顺 序号：不同公司的 性能相同的器 件可以使用同 一顺序号：其 数字越大，越 是近期产品 A B C D E F 用字母表 示对原 来型号的 改进产品
1 二极管 （1个PN结）
2 三极管或具有2个 PN结的其它晶体管
3 … … 具有四个有 效电极或具有 三个PN 结的 晶体管
n-1 具有n个有效 电极或具有 n-1个PN结的 晶体管
美国电子工业协会半导体分立器件型号组成部分的符号及其意义
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
用符号表示 用途的类型 用数字表示PN 结的数目 美国电子工业协会 （EIA）注册标志 美国电子工业协会 （EIA）登记顺序号 用字母表示 器件分档
符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义
JAN 或J 军用品 1 二极管 N 该器件已在 美国电子工业 协会注册登记 多 位 数 字 该器件已在 美国电子工 业协会登 记的顺序号 A B C D ... ... 同一型号 的不同档别
2 三极管
无 非军 用品 3 三个PN结器件
n n个PN结器件
公司名 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分
Texas公司 数字1--二极管 2--三极管 字母G--锗 S--硅 3至4位数字表示序号 用字母表示改进型
联合半导体公司 字母GE--锗 S--硅 字母T--三极管 3至4位数字表示序号
G.E.Bradley公司 字母D表示扩散式 字母T--三极管 4位数字表示序号
Newmarket公司 字母NK表示公司名称 字母T--三极管 2至3位数字表示序号
联合电子工业公司 字母G--锗 字母T--三极管 2至4位数字表示序号
英国主要五个公司半导体分立器件型号命名法
德国、荷兰半导体分立器件型号命名法
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分
字母 意 义 字母 意 义 数字 意 义 字母 意 义
O 不加热，即半导体器件 A 小功率二极管 2至3位数字 表示序号 A B C …… 表示改变型
Y 整流管
C 小功率三极管
D 大功率三极管（耗散功率>1W）
示例：OA85C、 OC77
法国半导体分立器件型号命名法
公司名 第一部分 第二部分 第三部分
CSF公司 字母SF（公司名） 字母T-三极管 3位数字表示序号
FTHF公司 字母TH（公司名） 字母P-三极管 2至3位数字表示序号
较统一的三极管命名 2至3位数字表示序号 字母T-三极管 用数字表示原材料：1 锗 2 硅
较统一的二极管命名 2至3位数字表示序号 字母P-点接触式 J-面结合式R-整流器 F--光电二极管 Z-齐纳二极管 用数字表示原材料：1 锗 2硅
示例：SFT358， THP170， 941T1， 15R2
国际电子联合会半导体分立器件型号的组成部分
第一部分 第 二 部 分 第三部分 第四部分
用字母表示使 用的材料符号 用字母表示类型及主要特性 用数字或字母加 数字表示登记号 用字母对同一 型号者分档
符号 意义 符 号 意 义 符 号 意 义 符 号 意 义 符 号 意 义
A 锗材料 A 检波、开关和混频二极管 M 封闭磁路中的霍尔器件 三 位 数 字 通用半导体 器件的登记 序号（同一类 型器件使用 同一登记号） A B C D E F … … 同一型号 器件按某 一参数进行分档的标志
B 变容二极管 P 光敏器件
B 硅材料 C 低频小功率三极管 Q 发光器件
D 低频大功率三极管 R 小功率可控硅
C 砷化镓 E 隧道三极管 S 小功率开关管
F 高频小功率三极管 T 大功率可控硅 一个 字母 加三 个数 字 专用半导体 器件的登记 序号（同一 类型器件使 用同一登记号
D 锑化铟 G 复合器件及其他器件 U 大功率开关管
H 磁敏二极管 X 倍增二极管
R 复合材料 K 开放磁路中的霍尔器件 Y 整流二极管
L 高频大功率三极管 Z 稳压二极管（齐纳二极管）
前苏联国家标准10862-72命名法型号组成部分的符号及其意义
第一部分 表示器件的材料：用俄文字母г或数字1 表示锗或锗的化合物
用俄文字母Κ或数字2 表示硅或硅的化合物
用俄文字母Α或数字3 表示镓或镓的化合物
第二部分 表示器件的类型(俄文字母)：
Т--三极管 П--场效应管 Д--二极管 Ц--整流器件 а--特高频二极管
в--变容二极管 И--隧道二极管、反向二极管 H--可控硅 У-双向可控硅
Л--发光器件 г--噪声发生器 Б--嘎纳(rAHHA)二极管 Κ--稳流管
с--稳压管
第三部分 器件基本参数的分类(用数字表示该器件的设计序号)
器件的 名称 101-199 201-299 301-399 401-499 501-599 601-699 701-799 801-899 901-999
三极管及 场效应管 低频小 功率 中频 小功率 高频和特 高频小功率 低频中 功率 中频中 功率 高频和特高 频中功率 低频大 功率 中频大 功率 高频和特高频大功率
二极管(τ恢复：亳微秒) 整流用 小功率 整流用 小功率 通用低频 开关用 τ>150 开关用 150≥τ>30 开关用 30≥τ>5 开关用 5≥τ>1 开关用 1≥τ
特高频 二极管 混 频 检 波 参 量 调 制 阶 跃 振 荡
整流器件 整流柱 小功率 整流柱 中功率 整流堆 小功率 整流堆 中功率
隧道二 极管 放 大 振 荡 开 关 反 向
变容二 极管 电调谐 阶 跃
可控硅 通用 小功率 通用 中功率 可关断 小功率 可关断 中功率 双向小 功率 双向中 功率
发光器件 (B：尼特) 红外光 可见光 (B>500) 可见光 (B>500)
稳压管 (VZ：伏) 小功率 （VZ<10) 小功率 10～99 小功率 100～99 中功率 （VZ<10) 中功率 10～99 中功率 100～199 大功率 （VZ<10) 大功率 10～90 大功率 100～199
注:晶体三极管和场效应管-----低频(ƒT≤3MHz), 中频(3MHz< ƒT≤30MHz), 高频与特高频(ƒT>30MHz);
小功率(PCM≤0.3W),中功率(0.3W＜PCM≤1.5W), 大功率(PCM＞1.5W).
晶体二极管----小功率整流(IF≤0.3A), 中功率整流(0.3A＜IF≤10A), 大功率整流(IF＞10A), 低频通用型(f＜1kHz),
低速开关管(τ＞150ns),中速开关管(30ns＜τ≤150ns), 高速开关管(1ns＜τ≤30ns),
超高速开关管(τ≤1ns).
整流器件------小功率整流柱(IF≤0.3A), 中功率整流柱(0.3A＜IF≤10A), 小功率整流堆(IF≤0.3A),
中功率整流堆(0.3A＜IF≤10A).
可控硅(晶体闸流管)------小功率通用可控硅(IF≤0.3A), 中功率通用可控硅(0.3A＜IF≤10A), 小功率可关断型可控
硅(IF≤0.3A),中功率可关断型可控硅(0.3A＜IF≤10A), 小功率双向可控硅(IF≤0.3A),
中功率双向可控硅(0.3A＜IF≤10A).
稳压管------小功率[稳定电压小于10V](Pz≤0.3W), 小功率[稳定电压为10-99V或100-199V]( Pz≤0.3W);
中功率[稳定电压小于10V](0.3W＜Pz≤5W), 中功率[稳定电压为10-99V或100-199V]( 0.3W＜Pz≤5W);
大功率[稳定电压小于10V](Pz＞5W), 大功率[稳定电压为10-99V或100-199V]( Pz＞5W).
第四部分 同类分档标志: 分别用俄文字母Α Б В Γ Д Ε Ж代表同一型号的7个不同档别.
评论