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Quartus使用问题及解决方法总结（转载）(2007-03-19 14:48:00)
摘要：在QuartusII下进行编译和仿真的时候,会出现一堆warning,有的可以忽略,有的却需要注意,虽然按F1可以了解关于该警告的帮助,但有时候帮助解释的仍然不清楚,大家群策群力,把自己知道和了解的一些关于警告的问题都说出来讨论一下,免得后来的人走弯路.
下面是我收集整理的一些,有些是自己的经验,有些是网友的,希望能给大家一点帮助,如有不对的地方,请指正,如果觉得好,请版主给点威望吧,谢谢
1.Found clock-sensitive change during active clock edge at time <time> on register "<name>"
原因：vector source file中时钟敏感信号（如：数据，允许端，清零，同步加载等）在时钟的边缘同时变化。而时钟敏感信号是
不能在时钟边沿变化的。其后果为导致结果不正确。
措施：编辑vector source file
2.Verilog HDL assignment warning at <location>: truncated value with size <number> to match size of target (<number>
原因:在HDL设计中对目标的位数进行了设定,如:reg[4:0] a;而默认为32位,将位数裁定到合适的大小
措施:如果结果正确,无须加以修正,如果不想看到这个警告,可以改变设定的位数
3.All reachable assignments to data_out(10) assign '0', register removed by optimization
原因:经过综合器优化后，输出端口已经不起作用了
4.Following 9 pins have nothing, GND, or VCC driving datain port -- changes to this connectivity may change fitting results
原因:第9脚，空或接地或接上了电源
措施:有时候定义了输出端口，但输出端直接赋‘0’，便会被接地，赋‘1’接电源。如果你的设计中这些端口就......
FPGA设计流程(2007-03-08 16:19:00)
摘要：1. 使用modelsim进行功能仿真
导入源程序和testbench进行仿真，并保存波形文件（.wlf）
2. 使用synplify pro对硬件描述语言编译并生成netlist
综合前要注意对器件的选择，方法是在project－>implementation option中对要下载的器件和网表的生成情况进行选择。综合后的网表有两种： RTL级网表和门
级网表（gate netlist），通过对网表的分析可以对设计的实现方式有初步的了解，并分析其中的错误和不合理的地方，另外还可以对关键路径的delay和slack进行分析。
使用synplify pro要先新建工程，注意修改工作目录，然后添加所要编译的文件，要注意top文件要最后一个添加，这样才可以保证生成的文件是以top文件来命名的
3. 使用quartusⅡ根据netlist进行布线，并进行时序分析
在使用quartusⅡ前要做一些必要的设置，在assignments－>eda tools setting中的simulation中选择modelsim，并选择选项run this tools automatically after compilation。如果没有提前做这些设置，可以quartus做完编译布线后，做同样的设置，然后运行EDA netlist writer和eda simulation tool在使用synplify pro得到满意的netlist后，可以在synplify pro中通过option－> quartusⅡ直接调用quartusⅡ，quartusⅡ对synplify pro生成的.vqm文件进行编译，布线。然后根据设计要求进行时序分析和引脚调整。
4. 使用modelsim进行布线后仿真
由于quartusⅡ提前做了设置，因此在编译布线完成后，会在工作目录下生成modelsim仿真所需要的文件和库（modelsim_work），在modelsim中将产生的文件和库所在的文件夹设置为当前目录，modelsim_work库会自动导入，新建工程会提示所使用的modelsim.ini文件，应使用quartus生成的，......
继电器的基础知识及应用领域 (2007-01-23 14:04:00)
摘要：一、时间继电器基础
时间继电器是一种当电器或机械给出输入信号时，在预定的时间后输出电气关闭或电气接通信号的继电器。
时间继电器的常用功能有：
A：通电延时（On-delay Operation）
F：断电延时（Off-delay Operation）
Y：星三角延时（Star/Delta Operation）
C：带瞬动输出的通电延时（With inst. Contact On-delay Operation）
G：间隔延时（Interval-delay Operation）
R：往复延时（On-off repetitive delay Operation）
K：信号断开延时（Off-signal delay Operation）
1、控制电源
时间继电器的电源端子间一般能承受1500V的外来浪涌电压，如果浪涌电压超过此值时，须使用浪涌吸收装置，以防止时间继电器击穿烧毁；
当时间继电器重复工作时，本次电源关断到下次电源接通的时间（休止时间）必须大于复位时间，否则，未完全复位的时间继电器在下一次工作时就会产生延时时间偏移、瞬动或不动作；
断电延时型时间继电器的电源接通时间必须大于0.5秒，以便有充足的能量储备而保证在断开电源后按预设时间接通或分断负载；
时间继电器的电源回路一般情况下是高阻抗的，因此，切断电源后的漏电流要尽可能小（半导体或用RC并接的触点来开关时间继电器），以免有感应电压而假关断引起误动作（对于断电延时型而言，会产生断电后延时时间到但继电器不释放现象）。一般情况下电源端子的残留电压应小于额定电压的20%，对断电延时型而言应小于额定电压的7%；
时间继电器在完成其控制工作后，尽量避免继续通电。到时后连续通电会使产品发热，从而加快电子元件老化，大大缩短使用寿命。
2、负载连接
时间继电器的输出触点由于受产品体积的限制，往往负载能力不强，因此要对触点进行保护，可在触点两端并接吸收装置（如：RC、二极管......
几个单位的换算(2006-11-24 16:29:00)
摘要：
1、 dB dB是一个表征相对值的值，纯粹的比值，只表示两个量的相对大小关系，没有单位，当考虑甲的功率相比于乙功率大或小多少个dB时，按下面计算公式：10log（甲功率/乙功率），如果采用两者的电压比计算，要用20log（甲电压/乙电压）。[52RD.com]
[例] 甲功率比乙功率大一倍，那么10lg（甲功率/乙功率）=10lg2=3dB。也就是说，甲的功率比乙的功率大3 dB。反之，如果甲的功率是乙的功率的一半，则甲的功率比乙的功率小3 dB。[52RD.com]
2、dBi 和dBd dBi和dBd是表示天线功率增益的量，两者都是一个相对值，但参考基准不一样。dBi的参考基准为全方向性天线，dBd的参考基准为偶极子，所以两者略有不同。一般认为，表示同一个增益，用dBi表示出来比用dBd表示出来要大2.15。[52RD.com]
[例] 对于一面增益为16dBd的天线，其增益折算成单位为dBi时，则为18.15dBi（一般忽略小数位，为18dBi）。[52RD.com]
[例] 0dBd=2.15dBi。[52RD.com]
3、dBc dBc也是一个表示功率相对值的单位，与dB的计算方法完全一样。一般来说，dBc 是相对于载波（Carrier）功率而言，在许多情况下，用来度量与载波功率的相对值，如用来度量干扰（同频干扰、互调干扰、交调干扰、带外干扰等）以及耦合、杂散等的相对量值。 在采用dBc的地方，原则上也可以使用dB替代。[52RD.com]
4、dBm dBm是一个表示功率绝对值的值（也可以认为是以1mW功率为基准的一个比值），计算公式为：10log（功率值/1mw）。[52RD.com]
[例] 如果功率P为1mw，折算为dBm后为0dBm。[52RD.com]
[例] 对于40W的功率，按dBm单位进行折算后的值应为： 10log（40W/1mw）=10log（40000）=10log4+10log10000=46dBm。[52RD.com]
5、dBw 与dBm一样，dBw是一个表示功率绝对值的单位（也可以认为是以1W功率为基准的一个比值），计算公式为：10log（功率值/1w）。dBw与dBm之间的换算关系为：0 dBw = 10log1 W = 10log10......
线性稳压器件：工作原理及比较(z)(2006-11-02 17:54:00)
摘要：线性稳压器件：工作原理及比较（一）
线性稳压器件：工作原理及比较（一）
原文： National semiconductor AN-1148.pdf
翻译：frm http://www.ednchina.com/BBS/ShowTopic.aspx?id=3930
介绍
随着电池供电设备在过去十年间的快速增长像原来的业介标准的LM340或LM317这样的稳压器件已经不能满足需要。由于这些稳压器使用NPN 达林顿管（图1），因此在本文中称其为NPN 稳压器。预期的更高性能已经由新型的低压差（Low-dropout）稳压器（LDO）和准LDO稳压器（quasi-LDO）实现了。
NPN 稳压器
在NPN稳压器的内部使用一个PNP管来驱动NPN达林顿，因此器件的输入输出之间会有1.5V到2.5V的压差。这个压差（dropout voltage）为：
Vdrop ＝ 2VBE ＋VSAT（NPN 稳压器）
LDO 稳压器
在LDO稳压器中，导通管是一个PNP管（图2）。LDO的最大优势就是PNP管只会带来很小的导通压降：
Vdrop ＝ Vsat （LDO 稳压器）
满载的跌落压降一般小于500mV。轻载时的压降只有10到20mV。
准LDO 稳压器
这种稳压器在一些应用中被广泛的采用（例如：5V变3.3V）（图3）。准LDO因为它介于NPN稳压器和LDO之间因此得名。它的导通管是由单个PNP管来驱动单个NPN管。因此，它的跌落压降介于NPN稳压器和LDO之间：
Vdrop ＝ Vbe ＋Vsat
稳压器工作原理
所有这些类型的稳压器将输出电源固定都利用了相同的技术（图4）。
输出电压通过反馈到误差放大器输入端的分压电阻采样。误差放大器的正端连接到一个参考电压。这个参考电压是由内部的带隙参考......
PCB过孔对信号传输的影响-----Maxconn整理(2006-10-24 09:43:00)
摘要：一．过孔的基本概念
过孔（via）是多层PCB的重要组成部分之一，钻孔的费用通常占PCB制板费用的30%到40%。简单的说来，PCB上的每一个孔都可以称之为过孔。从作用上看，过孔可以分成两类：一是用作各层间的电气连接；二是用作器件的固定或定位。如果从工艺制程上来说，这些过孔一般又分为三类，即盲孔(blind via)、埋孔(buried via)和通孔(through via)。盲孔位于印刷线路板的顶层和底层表面，具有一定深度，用于表层线路和下面的内层线路的连接，孔的深度通常不超过一定的比率(孔径)。埋孔是指位于印刷线路板内层的连接孔，它不会延伸到线路板的表面。上述两类孔都位于线路板的内层，层压前利用通孔成型工艺完成，在过孔形成过程中可能还会重叠做好几个内层。第三种称为通孔，这种孔穿过整个线路板，可用于实现内部互连或作为元件的安装定位孔。由于通孔在工艺上更易于实现，成本较低，所以绝大部分印刷电路板均使用它，而不用另外两种过孔。以下所说的过孔，没有特殊说明的，均作为通孔考虑。
从设计的角度来看，一个过孔主要由两个部分组成，一是中间的钻孔（drill hole）,二是钻孔周围的焊盘区。这两部分的尺寸大小决定了过孔的大小。很显然，在高速,高密度的PCB设计时，设计者总是希望过孔越小越好，这样板上可以留有更多的布线空间，此外，过孔越小，其自身的寄生电容也越小，更适合用于高速电路。但孔尺寸的减小同时带来了成本的增加，而且过孔的尺寸不可能无限制的减小，它受到钻孔(drill)和电镀（plating）等工艺技术的限制：孔越小，钻孔需花费的时间越长，也越容易偏离中心位置；且当孔的深度超过钻孔直径的6倍时，就无法保证孔壁能均匀镀铜。比如，如果一块正常的6层PCB板的厚度（通孔深度）为50Mil，那么，一般条件下PCB厂家能提供的钻孔直径最小只能达到8Mil。随着激光钻孔技术的发展，钻孔的尺寸也可以越来越小，一般直径小于等于6Mils的过孔，我们就称为微孔。在HDI（高密度互连结构）设计中经常使用到微孔，微孔技术可以允许过孔直接打在焊盘上（Via-in-pad），这大大提高了电路性能，节约了布线空间。
过孔在传输线上表现为阻抗不连续的断点，会造成信号的反射。一般过孔的等效阻抗比传输线低12%左右，比如50欧姆的传输线在经过过孔时阻抗......
三极管极性判别(2006-04-15 10:47:00)
摘要：晶体三极管的结构和类型
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，
从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，
底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
晶体三极管的电流放大作用
晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶体三极管的三种工作状态
截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正......
国外IC厂商网站(2006-03-21 16:05:00)
摘要：
集成电路型号前缀
对应国外生产厂商
互联网网址
A(A-)
INTECH(美国英特奇公司)
AC
TEXAS INSTRUMENTS [T1](美国德克萨斯仪器公司)
http://www.ti.com/
AD
ANALOG DEVICES(美国模拟器件公司)
http://www.analog.com/
AM
ADVANCED MICRO DEVICES（美国先进微电子器件公司）
http://www.advantagememory.com/
AM
DATA-INTERSIL(美国戴特-英特锡尔公司)
http://www.datapoint.com/
AN
PANASONIC(日本松下电器公司)
http://www.panasonic.com/
AN
PANASONIC(日本松下电器公司)
http://www.alldatasheet.com/
AT
ATMAIL(美国爱特梅尔公司)
http://www.atmel.com/cn/default.asp
AY
GENERAL INSTRUMENTS[G1](美国通用仪器公司)
BA
ROHM(日本东洋电具制作所)(日本罗姆公司)
http://www.rohmelectronics.com/
BX
SONY(日本索尼公司)
http://www.sony.com/
CA
RCA(美国无线电公司)
CA
PHILIPS(荷兰菲利浦公司)
http://www.semiconductors.philips.com/
CA
SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)
http://www.spt.com/
CAW
RCA(美国无线电公司)
CD
FAIRCHILD(美国仙童公司)
http://www.fairchildsemi.com/
CD
RCA(美国无线电公司)
CIC
SOLITRON(美国索利特罗器件公司)
CM
CHER......
运算放大器产品介绍(2006-03-15 16:14:00)
摘要：运算放大器 产品简介/功能特色
LMH6642/6643/6644 低功率、130MHz、75mA 的满摆幅输出运算放大器
LMH6645/6646/6647 2.7 伏、650mA、55MHz 的满摆幅输入输出运算放大器
LMH6682/6683 双/三通道的 180MHz 视频级运算放大器
LMH6714/6715/6720 电流反馈类的 400MHz 视频级运算放大器
LMV931/932/934 1.8 伏满摆幅输入输出运算放大器
LMV981/982 设有停机功能的 1.8 伏满摆幅输入输出运算放大器
LMV821/822/824 5MHz 的低电压、低功率运算放大器
LMV771/772/774 高精度的 1mV、3.5MHz 运算放大器
LMV710/711/715 5MHz、低功率、高输出电流驱动、满摆幅输入输出及设有停机功能的运算
放大器
LMV721/722 10MHz 的低噪音、低电压及低功率运算放大器
LMV341/342/344 125°C 的超低偏压电流运算放大器
LMV301 1.8 伏的超低输入偏压电流运算放大器
LMC6482/6484 CMOS 满摆幅输入输出双组装运算放大器
LMC6035/6036 低功率的 15 伏单电源供应 CMOS 运算放大器
LM7301 低功率的 30 伏满摆幅输入输出运算放大器
LMV7271/7272 1.8 伏的低电压、满摆幅输入比较器
LMV7235/7239 快速低电压、满摆幅输入比较器
LMV7219 设有磁滞及推拉式输出的 7ns 极快速比较器
LMV761/762 设有推拉......
晶振总结(2006-03-14 08:31:00)
摘要：无源晶体与有源晶振的区别、应用范围及用法：
1、无源晶体——无源晶体需要用DSP片内的振荡器，在datasheet上有建议的连接方法。无源晶体没有电压的问题，信号电平是可变的，也就是说是根据起振电路来决定的，同样的晶体可以适用于多种电压，可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP，而且价格通常也较低，因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体，这尤其适合于产品线丰富批量大的生产者。无源晶体相对于晶振而言其缺陷是信号质量较差，通常需要精确匹配外围电路（用于信号匹配的电容、电感、电阻等），更换不同频率的晶体时周边配置电路需要做相应的调整。建议采用精度较高的石英晶体，尽可能不要采用精度低的陶瓷警惕。
2、有源晶振——有源晶振不需要DSP的内部振荡器，信号质量好，比较稳定，而且连接方式相对简单（主要是做好电源滤波，通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络，输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可），不需要复杂的配置电路。有源晶振通常的用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。相对于无源晶体，有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的，需要选择好合适输出电平，灵活性较差，而且价格高。对于时序要求敏感的应用，个人认为还是有源的晶振好，因为可以选用比较精密的晶振，甚至是高档的温度补偿晶振。有些DSP内部没有起振电路，只能使用有源的晶振，如TI的6000系列等。有源晶振相比于无源晶体通常体积较大，但现在许多有源晶振是表贴的，体积和晶体相当，有的甚至比许多晶体还要小。
几点注意事项：
1、需要倍频的DSP需要配置好PLL周边配置电路，主要是隔离和滤波；
2、20MHz以下的晶体晶振基本上都是基频的器件，稳定度好，20MHz以上的大多是谐波的（如3次谐波、5次谐波等等），稳定度差，因此强烈建议使用低频的器件，毕竟倍频用的PLL电路需要的周边配置主要是电容、电阻、电感，其稳定度和价格方面远远好于晶体晶振器件；
3、时钟信号走线长度尽可能短，线宽尽可能大，与其它印制线间距尽可能大，紧靠器件布局布线，必要时可以走内层，以及用地线包围；
4、通过背板从外部引入时钟信号时有特殊的设计要求，需要详细参考相关的资料。
此外还要做一些说明：
总体来说晶振的稳定度等方面好于晶体，尤其是精密测量等领域，绝大多数用的都是高档的晶振，这样就可以把各种补偿技术集成在......