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<title><![CDATA[天高云淡]]></title>
<link>http://blog.pfan.cn/wegang</link>
<description>编程爱好者博客</description>
<language>zh-cn</language>
			<item>
		<title><![CDATA[Quartus使用问题及解决方法总结（转载）]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/24104.html</link>
		<description><![CDATA[在QuartusII下进行编译和仿真的时候,会出现一堆warning,有的可以忽略,有的却需要注意,虽然按F1可以了解关于该警告的帮助,但有时候帮助解释的仍然不清楚,大家群策群力,把自己知道和了解的一些关于警告的问题都说出来讨论一下,免得后来的人走弯路.&nbsp;&nbsp;&nbsp; 下面是我收集整理的一些,有些是自己的经验,有些是网友的,希望能给大家一点帮助,如有不对的地方,请指正,如果觉得好,请版主给点威望吧,谢谢1.Found clock-sensitive change during active clock edge at time &lt;time&gt; on register "&lt;name&gt;"原因：vector source file中时钟敏感信号（如：数据，允许端，清零，同步加载等）在时钟的边缘同时变化。而时钟敏感信号是
不能在时钟边沿变化的。其后果为导致结果不正确。措施：编辑vector source file
2.Verilog HDL assignment warning at &lt;location&gt;: truncated value with size &lt;number&gt; to match size of target (&lt;number&gt;原因:在HDL设计中对目标的位数进行了设定,如:reg[4:0] a;而默认为32位,将位数裁定到合适的大小措施:如果结果正确,无须加以修正,如果不想看到这个警告,可以改变设定的位数
3.All reachable assignments to data_out(10) assign '0', register removed by optimization原因:经过综合器优化后，输出端口已经不起作用了
4.Following 9 pins have nothing, GND, or VCC driving datain port -- changes to this connectivity may change fitting results原因:第9脚，空或接地或接上了电源措施:有时候定义了输出端口，但输出端直接赋‘0’，便会被接地，赋‘1’接电源。如果你的设计中这些端口就是这样用的，那便可以不理会这些warning
5.Found pins]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2007-03-19 14:48:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[FPGA设计流程]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/23759.html</link>
		<description><![CDATA[1.&nbsp; 使用modelsim进行功能仿真&nbsp;导入源程序和testbench进行仿真，并保存波形文件（.wlf）2.&nbsp; 使用synplify pro对硬件描述语言编译并生成netlist&nbsp;综合前要注意对器件的选择，方法是在project－&gt;implementation option中对要下载的器件和网表的生成情况进行选择。综合后的网表有两种： RTL级网表和门级网表（gate netlist），通过对网表的分析可以对设计的实现方式有初步的了解，并分析其中的错误和不合理的地方，另外还可以对关键路径的delay和slack进行分析。&nbsp;使用synplify pro要先新建工程，注意修改工作目录，然后添加所要编译的文件，要注意top文件要最后一个添加，这样才可以保证生成的文件是以top文件来命名的3.&nbsp; 使用quartusⅡ根据netlist进行布线，并进行时序分析&nbsp;在使用quartusⅡ前要做一些必要的设置，在assignments－&gt;eda tools setting中的simulation中选择modelsim，并选择选项run this tools automatically after compilation。如果没有提前做这些设置，可以quartus做完编译布线后，做同样的设置，然后运行EDA netlist writer和eda simulation tool在使用synplify pro得到满意的netlist后，可以在synplify pro中通过option－&gt; quartusⅡ直接调用quartusⅡ，quartusⅡ对synplify pro生成的.vqm文件进行编译，布线。然后根据设计要求进行时序分析和引脚调整。4.&nbsp; 使用modelsim进行布线后仿真&nbsp;由于quartusⅡ提前做了设置，因此在编译布线完成后，会在工作目录下生成modelsim仿真所需要的文件和库（modelsim_work），在modelsim中将产生的文件和库所在的文件夹设置为当前目录，modelsim_work库会自动导入，新建工程会提示所使用的modelsim.ini文件，应使用quartus生成的，然后导入文件（包括testbench），进行编译，仿真的时候在libra]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2007-03-08 16:19:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[继电器的基础知识及应用领域&nbsp;]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/22767.html</link>
		<description><![CDATA[一、时间继电器基础 
&nbsp;&nbsp;&nbsp; 时间继电器是一种当电器或机械给出输入信号时，在预定的时间后输出电气关闭或电气接通信号的继电器。
&nbsp;&nbsp;&nbsp; 时间继电器的常用功能有：
A：通电延时（On-delay Operation）F：断电延时（Off-delay Operation）Y：星三角延时（Star/Delta Operation）C：带瞬动输出的通电延时（With inst. Contact On-delay Operation）G：间隔延时（Interval-delay Operation）R：往复延时（On-off repetitive delay Operation）K：信号断开延时（Off-signal delay Operation）
1、控制电源
&nbsp;&nbsp;&nbsp; 时间继电器的电源端子间一般能承受1500V的外来浪涌电压，如果浪涌电压超过此值时，须使用浪涌吸收装置，以防止时间继电器击穿烧毁；
&nbsp;&nbsp;&nbsp; 当时间继电器重复工作时，本次电源关断到下次电源接通的时间（休止时间）必须大于复位时间，否则，未完全复位的时间继电器在下一次工作时就会产生延时时间偏移、瞬动或不动作；
&nbsp;&nbsp;&nbsp; 断电延时型时间继电器的电源接通时间必须大于0.5秒，以便有充足的能量储备而保证在断开电源后按预设时间接通或分断负载；
&nbsp;&nbsp;&nbsp; 时间继电器的电源回路一般情况下是高阻抗的，因此，切断电源后的漏电流要尽可能小（半导体或用RC并接的触点来开关时间继电器），以免有感应电压而假关断引起误动作（对于断电延时型而言，会产生断电后延时时间到但继电器不释放现象）。一般情况下电源端子的残留电压应小于额定电压的20%，对断电延时型而言应小于额定电压的7%；
&nbsp;&nbsp;&nbsp; 时间继电器在完成其控制工作后，尽量避免继续通电。到时后连续通电会使产品发热，从而加快电子元件老化，大大缩短使用寿命。
2、负载连接
&nbsp;&nbsp;&nbsp; 时间继电器的输出触点由于受产品体积的限制，往往负载能力不强，因此要对触点进行保护，可在触点两端并接吸收装置（如：RC、二极管、齐纳二极管等）。
&nbsp;&nbsp;&]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2007-01-23 14:04:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[色环电阻、线绕电阻和热敏电阻的基本知识]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/22267.html</link>
		<description><![CDATA[色环电阻、线绕电阻和热敏电阻的基本知识


&#8226;&nbsp; 色环电阻： 
 
普通精度色环电阻有四条环带，第一条是与端部距离最近的那条，接下去依次是第二，第三和第四条，他们所代表的意义见表 1 。精密电阻器用 5 条色环和误差表示，见表 2 ： 
普通精度电阻器的颜色和数值对照表 1 




色环颜色 

第一色环 

第二色环 

第三色环 

第四色环 


&nbsp; 

第一位数字 

第二位数字 

前面两位数字后加 0 的个数 

允许误差 


黑 

－ 

－ 

E0 *1 

－ 


棕 

1 

1 

E1 *10 

－ 


红 

2 

2 

E2 *100 

－ 


橙 

3 

3 

E3 *1000 

－ 


黄 

4 

4 

E4 *10000 

－ 


绿 

5 

5 

E5 *100000 

－ 


蓝 

6 

6 

E6 *1000000 

－ 


紫 

7 

7 

－ 

－ 


灰 

8 

8 

－ 

－ 


白 

9 

9 

－ 

－ 


金 

－ 

－ 

E － 1 *0.1 

± 5 ﹪ (J) 


银 

－ 

－ 

E － 2 *0.01 

± 10 ﹪ (K) 
精密精度电阻器的颜色和数值对照表 2 




色环颜色 

第一色环 

第二色环 

第三色环 

第四色环 

第五色环 


&nbsp; 

第一位数字 

第二位数字 

第三位数字 

前面三位数字后加 0 的个数 

允许误差 


黑 

0 

0 

0 

E0 *1 

&nbsp; 


棕 

1 

1 

1 

E1 *10 

± 1 ﹪ 


红 

2]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2007-01-05 12:35:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[几个单位的换算]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/20734.html</link>
		<description><![CDATA[1、&nbsp;&nbsp; dB dB是一个表征相对值的值，纯粹的比值，只表示两个量的相对大小关系，没有单位，当考虑甲的功率相比于乙功率大或小多少个dB时，按下面计算公式：10log（甲功率/乙功率），如果采用两者的电压比计算，要用20log（甲电压/乙电压）。[52RD.com][例] 甲功率比乙功率大一倍，那么10lg（甲功率/乙功率）=10lg2=3dB。也就是说，甲的功率比乙的功率大3 dB。反之，如果甲的功率是乙的功率的一半，则甲的功率比乙的功率小3 dB。[52RD.com]2、dBi 和dBd dBi和dBd是表示天线功率增益的量，两者都是一个相对值，但参考基准不一样。dBi的参考基准为全方向性天线，dBd的参考基准为偶极子，所以两者略有不同。一般认为，表示同一个增益，用dBi表示出来比用dBd表示出来要大2.15。[52RD.com][例] 对于一面增益为16dBd的天线，其增益折算成单位为dBi时，则为18.15dBi（一般忽略小数位，为18dBi）。[52RD.com][例] 0dBd=2.15dBi。[52RD.com]3、dBc dBc也是一个表示功率相对值的单位，与dB的计算方法完全一样。一般来说，dBc 是相对于载波（Carrier）功率而言，在许多情况下，用来度量与载波功率的相对值，如用来度量干扰（同频干扰、互调干扰、交调干扰、带外干扰等）以及耦合、杂散等的相对量值。 在采用dBc的地方，原则上也可以使用dB替代。[52RD.com]4、dBm dBm是一个表示功率绝对值的值（也可以认为是以1mW功率为基准的一个比值），计算公式为：10log（功率值/1mw）。[52RD.com][例] 如果功率P为1mw，折算为dBm后为0dBm。[52RD.com][例] 对于40W的功率，按dBm单位进行折算后的值应为： 10log（40W/1mw）=10log（40000）=10log4+10log10000=46dBm。[52RD.com]5、dBw 与dBm一样，dBw是一个表示功率绝对值的单位（也可以认为是以1W功率为基准的一个比值），计算公式为：10log（功率值/1w）。dBw与dBm之间的换算关系为：0 dBw = 10log1 W = 10log1000 mw = 30 dBm。[52RD.com][例] 如果功率P为1w，折算]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2006-11-24 16:29:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[线性稳压器件：工作原理及比较(z)]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/19938.html</link>
		<description><![CDATA[线性稳压器件：工作原理及比较（一）
线性稳压器件：工作原理及比较（一）原文：&nbsp;National&nbsp;semiconductor&nbsp;&nbsp;AN-1148.pdf翻译：frm http://www.ednchina.com/BBS/ShowTopic.aspx?id=3930介绍　　随着电池供电设备在过去十年间的快速增长像原来的业介标准的LM340或LM317这样的稳压器件已经不能满足需要。由于这些稳压器使用NPN&nbsp;达林顿管（图1），因此在本文中称其为NPN&nbsp;稳压器。预期的更高性能已经由新型的低压差（Low-dropout）稳压器（LDO）和准LDO稳压器（quasi-LDO）实现了。NPN&nbsp;稳压器　　在NPN稳压器的内部使用一个PNP管来驱动NPN达林顿，因此器件的输入输出之间会有1.5V到2.5V的压差。这个压差（dropout&nbsp;voltage）为：Vdrop&nbsp;＝&nbsp;2VBE&nbsp;＋VSAT（NPN&nbsp;稳压器）&nbsp;LDO&nbsp;稳压器　　在LDO稳压器中，导通管是一个PNP管（图2）。LDO的最大优势就是PNP管只会带来很小的导通压降：Vdrop&nbsp;＝&nbsp;Vsat&nbsp;（LDO&nbsp;稳压器）满载的跌落压降一般小于500mV。轻载时的压降只有10到20mV。&nbsp;准LDO&nbsp;稳压器　　这种稳压器在一些应用中被广泛的采用（例如：5V变3.3V）（图3）。准LDO因为它介于NPN稳压器和LDO之间因此得名。它的导通管是由单个PNP管来驱动单个NPN管。因此，它的跌落压降介于NPN稳压器和LDO之间：Vdrop&nbsp;＝&nbsp;Vbe&nbsp;＋Vsat&nbsp;稳压器工作原理　　所有这些类型的稳压器将输出电源固定都利用了相同的技术（图4）。&nbsp;　　输出电压通过反馈到误差放大器输入端的分压电阻采样。误差放大器的正端连接到一个参考电压。这个参考电压是由内部的带隙参考源产生的。误差放大器总是试图迫使其两端输入相等。为此，它提供负载电流以保证输出电压稳定：Vout&nbsp;=&nbsp;Vref(1+R1/R2)性能比较　　NPN，LDO和准LDO在参数上的最大不同就是：跌落电压（dropout&nbs]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2006-11-02 17:54:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[PCB过孔对信号传输的影响-----Maxconn整理]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/19671.html</link>
		<description><![CDATA[一．过孔的基本概念
&nbsp;
过孔（via）是多层PCB的重要组成部分之一，钻孔的费用通常占PCB制板费用的30%到40%。简单的说来，PCB上的每一个孔都可以称之为过孔。从作用上看，过孔可以分成两类：一是用作各层间的电气连接；二是用作器件的固定或定位。如果从工艺制程上来说，这些过孔一般又分为三类，即盲孔(blind via)、埋孔(buried via)和通孔(through via)。盲孔位于印刷线路板的顶层和底层表面，具有一定深度，用于表层线路和下面的内层线路的连接，孔的深度通常不超过一定的比率(孔径)。埋孔是指位于印刷线路板内层的连接孔，它不会延伸到线路板的表面。上述两类孔都位于线路板的内层，层压前利用通孔成型工艺完成，在过孔形成过程中可能还会重叠做好几个内层。第三种称为通孔，这种孔穿过整个线路板，可用于实现内部互连或作为元件的安装定位孔。由于通孔在工艺上更易于实现，成本较低，所以绝大部分印刷电路板均使用它，而不用另外两种过孔。以下所说的过孔，没有特殊说明的，均作为通孔考虑。
&nbsp;
从设计的角度来看，一个过孔主要由两个部分组成，一是中间的钻孔（drill hole）,二是钻孔周围的焊盘区。这两部分的尺寸大小决定了过孔的大小。很显然，在高速,高密度的PCB设计时，设计者总是希望过孔越小越好，这样板上可以留有更多的布线空间，此外，过孔越小，其自身的寄生电容也越小，更适合用于高速电路。但孔尺寸的减小同时带来了成本的增加，而且过孔的尺寸不可能无限制的减小，它受到钻孔(drill)和电镀（plating）等工艺技术的限制：孔越小，钻孔需花费的时间越长，也越容易偏离中心位置；且当孔的深度超过钻孔直径的6倍时，就无法保证孔壁能均匀镀铜。比如，如果一块正常的6层PCB板的厚度（通孔深度）为50Mil，那么，一般条件下PCB厂家能提供的钻孔直径最小只能达到8Mil。随着激光钻孔技术的发展，钻孔的尺寸也可以越来越小，一般直径小于等于6Mils的过孔，我们就称为微孔。在HDI（高密度互连结构）设计中经常使用到微孔，微孔技术可以允许过孔直接打在焊盘上（Via-in-pad），这大大提高了电路性能，节约了布线空间。
&nbsp;
过孔在传输线上表现为阻抗不连续的断点，会造成信号的反射。一般过孔的等效阻抗比传输线低12%左右，比如50欧姆的传输线在经过过孔时阻抗]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2006-10-24 09:43:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[三极管极性判别]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/12458.html</link>
		<description><![CDATA[晶体三极管的结构和类型 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种， 从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。 发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。 三极管的封装形式和管脚识别 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律， 底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。 目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 晶体三极管的电流放大作用 晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。 晶体三极管的三种工作状态 截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。 放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。 饱和导通状态：当加在三极管发射]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2006-04-15 10:47:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[国外IC厂商网站]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/11261.html</link>
		<description><![CDATA[集成电路型号前缀

对应国外生产厂商

互联网网址


A(A-)
INTECH(美国英特奇公司)
&nbsp;


AC
TEXAS INSTRUMENTS [T1](美国德克萨斯仪器公司)
http://www.ti.com/


AD
ANALOG DEVICES(美国模拟器件公司)
http://www.analog.com/


AM
ADVANCED MICRO DEVICES（美国先进微电子器件公司）
http://www.advantagememory.com/


AM
DATA-INTERSIL(美国戴特-英特锡尔公司)
http://www.datapoint.com/


AN
PANASONIC(日本松下电器公司)
http://www.panasonic.com/

AN
PANASONIC(日本松下电器公司)
http://www.alldatasheet.com/

AT
ATMAIL(美国爱特梅尔公司)
http://www.atmel.com/cn/default.asp


AY
GENERAL INSTRUMENTS[G1](美国通用仪器公司)
&nbsp;


BA
ROHM(日本东洋电具制作所)(日本罗姆公司)
http://www.rohmelectronics.com/


BX
SONY(日本索尼公司)
http://www.sony.com/


CA
RCA(美国无线电公司)
&nbsp;


CA
PHILIPS(荷兰菲利浦公司)
http://www.semiconductors.philips.com/


CA
SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)
http://www.spt.com/


CAW
RCA(美国无线电公司)
&nbsp;


CD
FAIRCHILD(美国仙童公司)
http://www.fairchildsemi.com/


CD
RCA(美国无线电公司)
&nbsp;


CIC
SOLITRON(美国索利特罗器件公司)
&nbsp;


CM
CHERRY S]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2006-03-21 16:05:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[运算放大器产品介绍]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/11013.html</link>
		<description><![CDATA[运算放大器 产品简介/功能特色&nbsp;&nbsp; LMH6642/6643/6644 低功率、130MHz、75mA 的满摆幅输出运算放大器&nbsp;&nbsp; LMH6645/6646/6647 2.7 伏、650mA、55MHz 的满摆幅输入输出运算放大器&nbsp;&nbsp; LMH6682/6683 双/三通道的 180MHz 视频级运算放大器&nbsp;&nbsp; LMH6714/6715/6720 电流反馈类的 400MHz 视频级运算放大器&nbsp;&nbsp; LMV931/932/934 1.8 伏满摆幅输入输出运算放大器&nbsp;&nbsp; LMV981/982 设有停机功能的 1.8 伏满摆幅输入输出运算放大器&nbsp;&nbsp; LMV821/822/824 5MHz 的低电压、低功率运算放大器&nbsp;&nbsp; LMV771/772/774 高精度的 1mV、3.5MHz 运算放大器&nbsp;&nbsp; LMV710/711/715 5MHz、低功率、高输出电流驱动、满摆幅输入输出及设有停机功能的运算 放大器&nbsp;&nbsp; LMV721/722 10MHz 的低噪音、低电压及低功率运算放大器&nbsp;&nbsp; LMV341/342/344 125°C 的超低偏压电流运算放大器&nbsp;&nbsp; LMV301 1.8 伏的超低输入偏压电流运算放大器&nbsp;&nbsp; LMC6482/6484 CMOS 满摆幅输入输出双组装运算放大器&nbsp;&nbsp; LMC6035/6036 低功率的 15 伏单电源供应 CMOS 运算放大器&nbsp;&nbsp; LM7301 低功率的 30 伏满摆幅输入输出运算放大器&nbsp;&nbsp; LMV7271/7272 1.8 伏的低电压、满摆幅输入比较器&nbsp;&nbsp; LMV7235/7239 快速低电压、满摆幅输入比较器&nbsp;&nbsp; LMV7219 设有磁滞及推拉式输出的 7ns 极快速比较器&nbsp;&nbsp; LMV761/762 设有推拉式输出的 1mV 高精度比较器&nbsp; &nbsp; 音频放大器 产品简介/功能特色&nbsp;&nbsp; LM4730 OvertureTM 15W 立体声音频]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2006-03-15 16:14:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[晶振总结]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/10984.html</link>
		<description><![CDATA[无源晶体与有源晶振的区别、应用范围及用法：1、无源晶体——无源晶体需要用DSP片内的振荡器，在datasheet上有建议的连接方法。无源晶体没有电压的问题，信号电平是可变的，也就是说是根据起振电路来决定的，同样的晶体可以适用于多种电压，可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP，而且价格通常也较低，因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体，这尤其适合于产品线丰富批量大的生产者。无源晶体相对于晶振而言其缺陷是信号质量较差，通常需要精确匹配外围电路（用于信号匹配的电容、电感、电阻等），更换不同频率的晶体时周边配置电路需要做相应的调整。建议采用精度较高的石英晶体，尽可能不要采用精度低的陶瓷警惕。2、有源晶振——有源晶振不需要DSP的内部振荡器，信号质量好，比较稳定，而且连接方式相对简单（主要是做好电源滤波，通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络，输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可），不需要复杂的配置电路。有源晶振通常的用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。相对于无源晶体，有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的，需要选择好合适输出电平，灵活性较差，而且价格高。对于时序要求敏感的应用，个人认为还是有源的晶振好，因为可以选用比较精密的晶振，甚至是高档的温度补偿晶振。有些DSP内部没有起振电路，只能使用有源的晶振，如TI的6000系列等。有源晶振相比于无源晶体通常体积较大，但现在许多有源晶振是表贴的，体积和晶体相当，有的甚至比许多晶体还要小。几点注意事项：1、需要倍频的DSP需要配置好PLL周边配置电路，主要是隔离和滤波；2、20MHz以下的晶体晶振基本上都是基频的器件，稳定度好，20MHz以上的大多是谐波的（如3次谐波、5次谐波等等），稳定度差，因此强烈建议使用低频的器件，毕竟倍频用的PLL电路需要的周边配置主要是电容、电阻、电感，其稳定度和价格方面远远好于晶体晶振器件；3、时钟信号走线长度尽可能短，线宽尽可能大，与其它印制线间距尽可能大，紧靠器件布局布线，必要时可以走内层，以及用地线包围；4、通过背板从外部引入时钟信号时有特殊的设计要求，需要详细参考相关的资料。此外还要做一些说明：总体来说晶振的稳定度等方面好于晶体，尤其是精密测量等领域，绝大多数用的都是高档的晶振，这样就可以把各种补偿技术集成在一起，减少了设计的复杂性。试想，如果采用晶体，然后自己设计波形整形、抗干]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2006-03-14 08:31:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[网址]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/10953.html</link>
		<description><![CDATA[http://www.netdzb.com/hotnews_asp/ShowMessage.asp?MsgID=10928
http://www.eedesign-cn.com/ee/html/NewsDesc.asp?cid=9&amp;XmlID=5910
http://zt.jycom.cn/dzyj/sjgcx2.asp?iPage=1&amp;temp=2N6
&nbsp;]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2006-03-13 10:13:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[74、CD系列芯片资料]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/10835.html</link>
		<description><![CDATA[7400 TTL 2输入端四与非门7401 TTL 集电极开路2输入端四与非门7402 TTL 2输入端四或非门7403 TTL 集电极开路2输入端四与非门7404 TTL 六反相器7405 TTL 集电极开路六反相器7406 TTL 集电极开路六反相高压驱动器7407 TTL 集电极开路六正相高压驱动器 7408 TTL 2输入端四与门7409 TTL 集电极开路2输入端四与门 7410 TTL 3输入端3与非门74107 TTL 带清除主从双J-K触发器74109 TTL 带预置清除正触发双J-K触发器7411 TTL 3输入端3与门74112 TTL 带预置清除负触发双J-K触发器7412 TTL 开路输出3输入端三与非门74121 TTL 单稳态多谐振荡器74122 TTL 可再触发单稳态多谐振荡器74123 TTL 双可再触发单稳态多谐振荡器74125 TTL 三态输出高有效四总线缓冲门74126 TTL 三态输出低有效四总线缓冲门7413 TTL 4输入端双与非施密特触发器74132 TTL 2输入端四与非施密特触发器74133 TTL 13输入端与非门74136 TTL 四异或门74138 TTL 3-8线译码器/复工器74139 TTL 双2-4线译码器/复工器7414 TTL 六反相施密特触发器74145 TTL BCD—十进制译码/驱动器7415 TTL 开路输出3输入端三与门74150 TTL 16选1数据选择/多路开关74151 TTL 8选1数据选择器74153 TTL 双4选1数据选择器74154 TTL 4线—16线译码器74155 TTL 图腾柱输出译码器/分配器74156 TTL 开路输出译码器/分配器74157 TTL 同相输出四2选1数据选择器74158 TTL 反相输出四2选1数据选择器7416 TTL 开路输出六反相缓冲/驱动器74160 TTL 可预置BCD异步清除计数器74161 TTL 可予制四位二进制异步清除计数器74162 TTL 可预置BCD同步清除计数器74163 TTL 可予制四位二进制同步清除计数器74164 TTL 八位串行入/并行输出移位寄存器74165 TTL 八位并行入/串行输]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2006-03-08 21:24:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[运算放大器的主要参数&nbsp;]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/10806.html</link>
		<description><![CDATA[运算放大器的静态技术指标 
&nbsp;&nbsp;&nbsp; 1.输入失调电压VIO(input&nbsp; offset voltage) ：输入电压为零时，将输出电压除以电压增益，即为折算到输入端的失调电压。VIO是表征运放内部电路对称性的指标。 
&nbsp;&nbsp;&nbsp; 2.输入失调电流IIO(input&nbsp; offset&nbsp; current)：在零输入时，差分输入级的差分对管基极电流之差，用于表征差分级输入电流不对称的程度。 
&nbsp;&nbsp;&nbsp; 3.输入偏置电流IB(input&nbsp; bias&nbsp; current)：运放两个输入端偏置电流的平均值，用于衡量差分放大对管输入电流的大小。 
&nbsp;&nbsp; &nbsp;4.输入失调电压温漂  ：在规定工作温度范围内，输入失调电压随温度的变化量与温度变化量之比值。 
&nbsp;&nbsp;&nbsp; 5.输入失调电流温漂  ：在规定工作温度范围内，输入失调电流随温度的变化量与温度变化量之比值。 
6.最大差模输入电压  (maximum&nbsp; differential&nbsp; mode input&nbsp; voltage)：运放两输入端能承受的最大差模输入电压，超过此电压时,差分管将出现反向击穿现象。 
7.最大共模输入电压  (maximum&nbsp; common&nbsp; mode&nbsp; input voltage)：在保证运放正常工作条件下，共模输入电压的允许范围。共模电压超过此值时，输入差分对管出现饱和，放大器失去共模抑制能力。 
8.2.2 运算放大器的动态技术指标 
&nbsp;&nbsp;&nbsp; 1.开环差模电压放大倍数  (open&nbsp; loop&nbsp; voltage&nbsp; gain) ：运放在无外加反馈条件下，输出电压与输入电压的变化量之比。 
&nbsp;&nbsp;&nbsp; 2.差模输入电阻  (input&nbsp; resistance) ：输入差模信号时，运放的输入电阻。 
3.共模抑制比  (common&nbsp; mode&nbsp; rejection&nbsp; ratio) ：与差分放大电路中的定义相同，是差模电压增益]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2006-03-07 20:26:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[电阻精度与常用阻值]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/10805.html</link>
		<description><![CDATA[国家标准规定了电阻的阻值按其精度分为两大系列,分别为E-24系列和E-96系列,E-24系列精度为5%,E-96系列为1%, 在这两种系列之外的电阻为非标电阻,较难采购。下面列出了常用的5％和1％精度电阻的标称值,供大家设计时参考。 精度为5％的碳膜电阻,以欧姆为单位的标称值： 1.0&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;5.6&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;33&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;160&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;820&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;3.9K&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;20K&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;100K&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;510K&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;2.7M 1.1&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;6.2&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;36&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;180&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;910&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;4.3K&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;22K&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;110K&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;560K&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;3M 1.2&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;6.8&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;39&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;200&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;1K&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;4.7K&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;24K&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;120K&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2006-03-07 20:05:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[集成运算放大器简介]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/10804.html</link>
		<description><![CDATA[目前广泛应用的电压型集成运算放大器是一种高放大倍数的直接耦合放大器。在该集成电路的输入与输出之间接入不同的反馈网络,可实现不同用途的电路,例如利用集成运算放大器可非常方便的完成信号放大、信号运算（加、减、乘、除、对数、反对数、平方、开方等）、信号的处理（滤波、调制）以及波形的产生和变换。集成运算放大器的种类非常多,可适用于不同的场合。
3.2.1&nbsp; 集成运算放大器的分类
按照集成运算放大器的参数来分,集成运算放大器可分为如下几类。
1．通用型运算放大器
通用型运算放大器就是以通用为目的而设计的。这类器件的主要特点是价格低廉、产品量大面广,其性能指标能适合于一般性使用。例mA741（单运放）、LM358（双运放）、LM324（四运放）及以场效应管为输入级的LF356都属于此种。它们是目前应用最为广泛的集成运算放大器。
2．高阻型运算放大器
这类集成运算放大器的特点是差模输入阻抗非常高,输入偏置电流非常小,一般rid＞（109~1012）W,IIB为几皮安到几十皮安。实现这些指标的主要措施是利用场效应管高输入阻抗的特点,用场效应管组成运算放大器的差分输入级。用FET作输入级,不仅输入阻抗高,输入偏置电流低,而且具有高速、宽带和低噪声等优点,但输入失调电压较大。常见的集成器件有LF356、LF355、LF347（四运放）及更高输入阻抗的CA3130、CA3140等。
3．低温漂型运算放大器
在精密仪器、弱信号检测等自动控制仪表中,总是希望运算放大器的失调电压要小且不随温度的变化而变化。低温漂型运算放大器就是为此而设计的。目前常用的高精度、低温漂运算放大器有OP-07、OP-27、AD508及由MOSFET组成的斩波稳零型低漂移器件ICL7650等。
4．高速型运算放大器
在快速A/D和D/A转换器、视频放大器中,要求集成运算放大器的转换速率SR一定要高,单位增益带宽BWG一定要足够大,像通用型集成运放是不能适合于高速应用的场合的。高速型运算放大器主要特点是具有高的转换速率和宽的频率响应。常见的运放有LM318、mA715等,其SR=50~70V/ms,BWG＞20MHz。
5．低功耗型运算放大器
由于电子电路集成化的最大优点是能使复杂电路小型轻便,所以随着便携式仪器应用范围的扩大,必须使用低电源电压供电、低功率消耗的运算放大器相适用。常用]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2006-03-07 19:46:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[LSTTL:]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/8600.html</link>
		<description><![CDATA[LSTTL:Low-power&nbsp;Schottky&nbsp;TTL&nbsp;--低功耗肖特基TTL&nbsp;The&nbsp;power&nbsp;dissipation&nbsp;of&nbsp;LSTTL&nbsp;is&nbsp;typically&nbsp;one-fifth&nbsp;that&nbsp;of&nbsp;conventional&nbsp;TTL.&nbsp;--&nbsp;LSTTL的功耗典型值为传统TTL的1/5。磁珠:铁氧体材料是铁镁合金或铁镍合金，这种材料具有很高的导磁率，他可以是电感的线圈绕组之间在高频高阻的情况下产生的电容最小。铁氧体材料通常在高频情况下应用，因为在低频时他们主要程电感特性，使得线上的损耗很小。在高频情况下，他们主要呈电抗特性比并且随频率改变。实际应用中，铁氧体材料是作为射频电路的高频衰减器使用的。实际上，铁氧体较好的等效于电阻以及电感的并联，低频下电阻被电感短路，高频下电感阻抗变得相当高，以至于电流全部通过电阻。铁氧体是一个消耗装置，高频能量在上面转化为热能，这是由他的电阻特性决定的1.磁珠是用来吸收超高频信号，象一些RF电路，PLL，振荡电路，含超高频存储器电路（DDR&nbsp;SDRAM，RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠，而电感是一种蓄能元件，用在LC振荡电路，中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过错50MHZ。2.磁珠主要用于抑制电磁辐射干扰，而电感用于这方面则侧重于抑制传导性干扰。两者都可用于处理EMC、EMI问题。共模电压、差模电压、共模噪声电压:首先了解差分和共模方式:差模信号通过一对信号线来传输。一个信号线上传输我们通常所理解的信号；另一个信号线上则传输一个等值而方向相反(至少在理论上是这样)的信号。差分和单端模式最初出现时差异不大，因为所有的信号都存在回路。&nbsp;单端模式的信号通常经由一个零电压的电路(或者称为地)来返回。差分信号中的每一个信号都要通过地电路来返回。由于每一个信号对实际上是等值而反向的，所以返回电路就简单地互相抵消了，因此在零电压或者是地电路上就不会出现差分信号返回的成分。&nbsp;共模方式是指信号出现在一个(差分)信号线对的两个信号线上，或者是同时出现在单端信号线和地上。对这个概念的理解并不直观，因为很难想象如何产生这样的信号。这主要是因为]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2005-12-20 08:24:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[SMT基础知识介绍]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/8583.html</link>
		<description><![CDATA[&nbsp; SMT(Surface Mount Technology)是电子业界一门新兴的工业技术，它的兴起及迅猛发展是电子组装业的一次革命，被誉为电子业的”明日之星”，它使电子组装变得越来越快速和简单，随之而来的是各种电子产品更新换代越来越快，集成度越来越高，价格越来越便宜。为IT（Information Technology）产业的飞速发展作出了巨大贡献。
SMT零件
SMT所涉及的零件种类繁多，样式各异，有许多已经形成了业界通用的标准，这主要是一些芯片电容电阻等等；有许多仍在经历着不断的变化，尤其是IC类零件，其封装形式的变化层出不穷，令人目不暇接，传统的引脚封装正在经受着新一代封装形式（BGA、FLIP CHIP等等）的冲击，在本章里将分标准零件与IC类零件详细阐述。
一、标准零件&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;标准零件是在SMT发展过程中逐步形成的，主要是针对用量比较大的零件，本节只讲述常见的标准零件。目前主要有以下几种：电阻(R)、排阻(RA或RN)、电感(L)、陶瓷电容(C)、排容(CP)、钽质电容(C)、二极管(D)、晶体管(Q)【括号内为PCB（印刷电路板）上之零件代码】，在PCB上可根据代码来判定其零件类型，一般说来，零件代码与实际装着的零件是相对应的。
1、 零件规格:(1)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。
标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表公制表示法 1206 0805 0603 0402英制表示法 3216 2125 1608 1005含义 L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm)注：a、L（Length）：长度； W（Width）：宽度； inch：英寸b、1inch=25.4mm
（2）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。
（3）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2005-12-19 19:18:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[SI名词解释&nbsp;]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/8402.html</link>
		<description><![CDATA[&nbsp;

行业术语&nbsp;&nbsp;www.PCBTech.net &nbsp;&nbsp;2003-6-10 &nbsp;中国PCB技术网

1、什么是信号完整性（Singnal Integrity）？信号完整性（Singnal Integrity）是指一个信号在电路中产生正确的相应的能力。信号具有良好的信号完整性（Singnal Integrity）是指当在需要的时候，具有所必须达到的电压电平数值。主要的信号完整性问题包括反射、振荡、地弹、串扰等。 常见信号完整性问题及解决方法： 问题 可能原因 解决方法 其他解决方法 过大的上冲 终端阻抗不匹配 终端端接 使用上升时间缓慢的驱动源 直流电压电平不好 线上负载过大 以交流负载替换直流负载 在接收端端接，重新布线或检查地平面 过大的串扰 线间耦合过大 使用上升时间缓慢的发送驱动器 使用能提供更大驱动电流的驱动源 时延太大 传输线距离太长 替换或重新布线, 检查串行端接头 使用阻抗匹配的驱动源, 变更布线策略 振荡 阻抗不匹配 在发送端串接阻尼电阻 2、什么是串扰（crosstalk）？串扰（crosstalk）是指在两个不同的电性能之间的相互作用。产生串扰（crosstalk）被称为Aggressor，而另一个收到干扰的被称为Victim。通常，一个网络既是Aggressor（入侵者），又是Victim（受害者）。振铃和地弹都属于信号完整性问题中单信号线的现象（伴有地平面回路），串扰则是由同一PCB板上的两条信号线与地平面引起的，故也称为三线系统。串扰是两条信号线之间的耦合，信号线之间的互感和互容引起线上的噪声。容性耦合引发耦合电流，而感性耦合引发耦合电压。PCB板层的参数、信号线间距、驱动端和接收端的电气特性及线端接方式对串扰都有一定的影响。3、什么是电磁兼容（EMI）？电磁干扰（Ectromagnetioc Interference），或者电磁兼容性（EMI），是从一个传输线（transmission line）（例如电缆、导线或封装的管脚）得到的具有天线特性的结果。印制电路板、集成电路和许多电缆发射并影响电磁兼容性（EMI）的问题。FCC定义了对于一定的频率的最大发射的水平（例如应用于飞行控制器领域）。4、在时域（time domain）和频域（frequency doma]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2005-12-17 15:13:00</pubDate>
		</item>
				<item>
		<title><![CDATA[TTL和CMOS电平]]></title>
		<link>http://blog.pfan.cn/wegang/6297.html</link>
		<description><![CDATA[TTL——Transistor-Transistor Logic HTTL——High-speed TTL LTTL——Low-power TTL STTL——Schottky TTL LSTTL——Low-power Schottky TTL ASTTL——Advanced Schottky TTL ALSTTL——Advanced Low-power Schottky TTL FAST(F)——Fairchild Advanced schottky TTL CMOS——Complementary metal-oxide-semiconductor HC/HCT——High-speed CMOS Logic(HCT与TTL电平兼容) AC/ACT——Advanced CMOS Logic(ACT与TTL电平兼容)（亦称ACL） AHC/AHCT——Advanced High-speed CMOS Logic(AHCT与TTL电平兼容) FCT——FACT扩展系列，与TTL电平兼容 FACT——Fairchild Advanced CMOS Technology,其
1，TTL电平： &nbsp;&nbsp; 输出高电平&gt;2.4V,输出低电平&lt;0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平&gt;=2.0V，输入低电平&lt;=0.8V，噪声容限是0.4V。 2，CMOS电平： &nbsp;&nbsp; 1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3，电平转换电路： &nbsp;&nbsp; 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v&lt;＝＝&gt;cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈 4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。 5，TTL和COMS电路比较：  1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。  2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。 &nbsp;&nbsp;&nbsp; COMS电路的速度慢，传]]></description>
		<author><![CDATA[moron]]></author>
		<pubDate>2005-10-24 08:59:00</pubDate>
		</item>
		</channel>
</rss>